德州仪器:更便宜的氮化镓芯片
原标题:德州仪器:更便宜的氮化镓芯片
导读:
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由任嘉伦、邢菲、祝绪丹、严屹宽、朱正廷、米热等主演的电视剧《武庚纪》终于定档3月13号播出了,这部剧即将来袭,可以说令人非常的激动和期待。这部剧算是漫改片,原著是漫画,讲述的是人皇之子武庚重生在了少....
芝能智芯出品
德州仪器正在将其多个工厂的氮化镓
(GaN)芯片生产从6英寸晶圆转换为8英寸晶圆。模拟芯片公司正在为达拉斯和日本会津的8英寸晶圆准备设备,这将使其能够提供更具价格竞争力的氮化镓芯片。
自2022年以来,人们普遍认为氮化镓芯片比碳化硅
(SiC)芯片更昂贵,但这一情况已经发生了逆转。
Part 1
德州仪器的GaN解决方案
GaN功率器件是可以实现高电子迁移率的晶体管
(HEMT)。HEMT是一种场效应晶体管
(FET),与同等尺寸的硅功率晶体管相比,HEMT具有更低的导通电阻和更快的开关速度。这一优势使得功率转换更加节能且节省空间。在硅衬底上生长的GaN模块还可以利用现有的硅制造能力。功率HEMT广泛应用于无线基站等领域,并且其可靠性经过验证。
德州仪器的GaN解决方案具备高效率、功率密度和可靠性的特性,
TI的GaN产品组合包括控制器、驱动器和稳压器,通过端到端功率转换和5MHz的开关频率来降低功耗。
通过提高功率密度、最大化dV/dt抗扰度以及优化驱动强度,TI的GaN解决方案可以降低噪声并提高效率。
例如,使用LMG3410 600V GaN功率级供电的高电压、高效率PFC和LLC参考设计,以及使用LMG5200 80V GaN功率级的多级48V功率转换设计。
TI的GaN生态系统支持新颖独特的拓扑结构,同时减少了设计障碍。
模拟和数字GaN FET控制器与TI的GaN功率级和分立GaN FET无缝配对,为工程师提供了更灵活、高效的设计选择。
Part 2
氮化镓芯片的价格
氮化镓芯片的价格低于其SiC对手,而德州仪器在达拉斯和会津的工厂转换完成后,将能够提供更便宜的解决方案。
TI正在将其6英寸晶圆工厂转换为8英寸,然后再将8英寸工厂转换为12英寸。更大的晶圆意味着更多的芯片,这将为公司带来生产效率的提升。预计达拉斯工厂的升级将在2025年完成,会津工厂的时间表还没有透露。
德州仪器的这一举措可能导致氮化镓芯片的整体价格下降,
其功率管理IC的生产从8英寸转换为12英寸时,芯片的价格在整个行业范围内下降了。转换为8英寸预计将使德州仪器节省成本超过10%。
TI还推出了其100V GaN LMG2100R044和LMG3100R017芯片,其功率密度为1.5kW/in3。
小结
功率半导体的价格变化在不断往下走。
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